​奥谱太赫兹技术研究院

​

 

随着芯片产业的发展和物联网的出现，未来社会将需要越来越多的传感器集成的智能芯片。这些传感器集成智能芯片的特点要延续现有全球数以万种细分的传感器种类，即保持多品种特征特征。EUV曝光技术因为使用多道光刻掩模，因而其生产周期长、成本高，不适合加工这种批次多、批量小的智能芯片。
电子束曝光技术会是物联网IoT芯片和AI芯片因数量小而成本高导致其技术发展受到限制的最佳解决方案。
电子束曝光机是现代纳米加工工艺中两种（EBL和EUV）能实现单纳米级图案化的手段之一。电子束因为波长短容易获得纳米分辨率的精细图形，早在极紫外光刻机之前的1990年代就实现10纳米级甚至是10纳米以下的图案。电子束曝光技术的显著优点是：容易获得纳米分辨率的精细图形，以及不需要预先制备掩模而由CAD设计直接控制电子束实现加工。然而目前的电子束曝光机以单束扫描方式为主，其产率很低，无法满足工业量产的需要。多束电子束曝光机通过操纵大量电子束同时进行曝光，可以极大加快曝光速度，提高产率。
我们从电子束曝光机的基本原理出发，旨在从根本上解决多束电子束的产生，传输，以及精细操纵的难点。

​

The electron-beam lithography has the advantages of direct-write with sub 10 nm resolution. We are working on the multiple electron beam lithography to improve its production rate.